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PHOENIX繼電器的點(diǎn)和缺點(diǎn)?

更新時(shí)間:2018-09-13瀏覽:1110次

    PHOENIX繼電器的點(diǎn)和缺點(diǎn)?
    PHOENIX繼電器進(jìn)行無(wú)觸點(diǎn)接通或分?jǐn)唷9腆w繼電器是一種四端器件,兩個(gè)輸入端,兩個(gè)輸出端。輸入端接控制信號(hào),輸出端與負(fù)載、電源串聯(lián),實(shí)際是一個(gè)受控的電力電子開關(guān),其等效電路如圖。
    由于PHOENIX繼電器具有高穩(wěn)定、高、無(wú)觸點(diǎn)及壽命長(zhǎng)等點(diǎn),廣泛應(yīng)用在電動(dòng)機(jī)調(diào)速、正反轉(zhuǎn)控制、調(diào)光、家用電器、烘箱烘道加溫控溫、送變電電網(wǎng)的建設(shè)與改造等方面。
    固體PHOENIX繼電器的工作原理
    固體PHOENIX繼電器與通常的電磁繼電器不同:無(wú)觸點(diǎn)、輸入電路與輸出電路之間光(電)隔離、由分立元件.半導(dǎo)體微電子電路芯片和電力電子器件組裝而成,以阻燃型環(huán)氧樹脂為原料,采用灌封技術(shù)持其封閉在外殼中、使與外界隔離,具有良的耐壓、防腐、防潮抗震動(dòng)。
    PHOENIX繼電器由輸入電路、驅(qū)動(dòng)電路和輸出電路三部分組成。
    這里僅以應(yīng)用較多的交流過(guò)零型固體繼電器為例,介紹其工作原理。該電路采用了過(guò)零觸發(fā)技術(shù),具有電壓過(guò)零時(shí)開啟,負(fù)裁電流過(guò)零時(shí)關(guān)斷的特性,在負(fù)載上可以得到一個(gè)完整的正弦波形,因此電路的射頻干擾很小。
    該   電路由信號(hào)輸人電路、零電壓檢測(cè)控制電路、工作指示電路、雙向晶閘管控制電路和吸收電路幾部分組成。采用了光電耦合器GD作為輸入電路和輸出電路之間的隔離元件,VD是防止Vin正負(fù)接反燒壞GD。
    電路工作過(guò)程:當(dāng)無(wú)輸入信號(hào)時(shí),GD中的光敏三管裁止,VT1是交流電壓零點(diǎn)檢測(cè)器,通過(guò)R3獲得基電流而飽和導(dǎo)通,將VTH的門箝在低電位而處于關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)有輸入信號(hào)時(shí),光敏三管導(dǎo)通,此時(shí)VTH的狀態(tài)由VT1決定,如此電源電壓大于過(guò)零電壓時(shí),分壓器R3、R2的分壓點(diǎn)P電壓大于VBE1,VT1飽和導(dǎo)通,SCR門因箝位在低電位而截止,TR的門因沒(méi)有觸發(fā)脈沖而處于關(guān)斷狀態(tài)。只有當(dāng)電源電壓小于過(guò)零電壓,P點(diǎn)電壓小于VBE1時(shí)G1截止,SCR門獲得觸發(fā)信號(hào)而導(dǎo)通。在TR的門獲得觸發(fā)脈沖,TR就導(dǎo)通.從而接通負(fù)載電源。
    當(dāng)輸入信號(hào)關(guān)斷后GD中的光敏三管截止, G1飽和導(dǎo)通使SCR門箝位在低電位而關(guān)斷,但是此時(shí)TR仍保持導(dǎo)通狀態(tài),負(fù)載上仍有電流流過(guò),直到負(fù)載電流隨VAC減小到小于雙向晶閘管TR的維持電流后才會(huì)自行關(guān)斷,切斷負(fù)載電源。
    1、PHOENIX繼電器的點(diǎn)
    (1)高壽命,高:固態(tài)繼電器沒(méi)有機(jī)械零部件,有固體器件完成觸點(diǎn)功能,由于沒(méi)有運(yùn)動(dòng)的零部件,因此能在高沖擊,振動(dòng)的環(huán)境下工作,固態(tài)繼電器的壽命長(zhǎng),性高。
    (2)靈敏度高,控制功率小,電磁兼容性:固態(tài)繼電器的輸入輸出電壓范圍較寬,驅(qū)動(dòng)功率低,可與大多數(shù)邏輯集成電路兼容不需加緩沖器或驅(qū)動(dòng)器。
    (3)快速轉(zhuǎn)換:固態(tài)繼電器因?yàn)椴捎霉腆w器件,所以切換速度可從幾毫秒至幾微妙。
    (4)電磁干擾小:固態(tài)繼電器沒(méi)有輸入“線圈”,沒(méi)有觸點(diǎn)燃弧和回跳,因而減少了電磁干擾。大多數(shù)交流輸出固態(tài)繼電器是一個(gè)零電壓開關(guān),在零電壓處導(dǎo)通,零電流處關(guān)斷,減少了電流波形的突然中斷,從而減少了開關(guān)瞬態(tài)效
    2、PHOENIX繼電器的缺點(diǎn)
    (1)導(dǎo)通后的管壓降大,可控硅或雙相控硅的正向降壓可達(dá)1-2V,大功率晶體管的飽和壓降也在1-2V之間,一般功率場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻也較機(jī)械觸點(diǎn)的接觸電阻大。
    (2)半導(dǎo)體器件關(guān)斷后仍有數(shù)微安至數(shù)毫安的漏電流,不能實(shí)現(xiàn)電隔離。
    (3)管壓降大,導(dǎo)通后的功耗和發(fā)熱量也大,大功率固態(tài)繼電器的體積遠(yuǎn)大于同容量的電磁繼電器,成本也較高。
    (4)電子元器件的溫度特性和電子線路的抗干擾能力較差,耐輻射能力也較差,如不采取有效措施,則工作性低。
    (5)固態(tài)繼電器對(duì)過(guò)載有較大的敏感性,必須用快速熔斷器或RC阻尼電路對(duì)其進(jìn)行過(guò)載保護(hù)。固態(tài)繼電器的負(fù)載與環(huán)境溫度明顯有關(guān),溫度升高,負(fù)載能力將迅速下降。
    (6)交直流不能通用,觸點(diǎn)組數(shù)少,另外過(guò)電流、過(guò)電壓及電壓上升率、電流上升率等指標(biāo)差。
 

 

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